Kết hợp với các ưu điểm về hiệu suất toàn diện của vật liệu nền Al2O3 và BeO truyền thống, gốm Nhôm Nitride (AlN), có độ dẫn nhiệt cao (độ dẫn nhiệt lý thuyết của tinh thể đơn tinh thể là 275W/m▪k, độ dẫn nhiệt lý thuyết của đa tinh thể là 70 ~ 210W/m▪k ), hằng số điện môi thấp, hệ số giãn nở nhiệt phù hợp với silicon đơn tinh thể và đặc tính cách điện tốt, là vật liệu lý tưởng cho chất nền và bao bì mạch trong ngành vi điện tử.Nó cũng là vật liệu quan trọng cho các thành phần gốm kết cấu ở nhiệt độ cao nhờ các tính chất cơ học ở nhiệt độ cao, tính chất nhiệt và tính ổn định hóa học tốt.
Mật độ lý thuyết của AlN là 3,26g/cm3, độ cứng MOHS là 7-8, điện trở suất ở nhiệt độ phòng lớn hơn 1016Ωm và độ giãn nở nhiệt là 3,5 × 10-6/oC (nhiệt độ phòng 200oC).Gốm AlN nguyên chất không màu và trong suốt, nhưng chúng sẽ có nhiều màu khác nhau như xám, trắng xám hoặc vàng nhạt do có tạp chất.
Ngoài tính dẫn nhiệt cao, gốm AlN còn có những ưu điểm sau:
1. Cách điện tốt;
2. Hệ số giãn nở nhiệt tương tự với đơn tinh thể silicon, vượt trội so với các vật liệu như Al2O3 và BeO;
3. Độ bền cơ học cao và độ bền uốn tương tự với gốm Al2O3;
4. Hằng số điện môi và tổn thất điện môi vừa phải;
5. So với BeO, độ dẫn nhiệt của gốm AlN ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ, đặc biệt là trên 200oC;
6. Chịu nhiệt độ cao và chống ăn mòn;
7. Không độc hại;
8. Được áp dụng cho ngành công nghiệp bán dẫn, công nghiệp luyện kim hóa học và các lĩnh vực công nghiệp khác.
Thời gian đăng: 14-07-2023