-
Cánh tay robot bằng gốm alumina độ tinh khiết cao dùng để xử lý tấm bán dẫn.
Cánh tay robot bằng gốm alumina của St.Cera được chế tạo chính xác từ Al₂O₃ (alumina) có độ tinh khiết cao 99,8%. Nó kết hợp độ bền uốn vượt trội (361 MPa), độ cứng cao (16 GPa) và mật độ thấp (3,93 g/cm³), tạo ra một cánh tay nhẹ nhưng cứng chắc để vận chuyển tấm bán dẫn. Hệ số giãn nở nhiệt của vật liệu (7,2×10⁻⁶/°C) gần giống với silicon, giảm thiểu sự không phù hợp về nhiệt trong quá trình xử lý.
-
Bộ phận kẹp gốm Bernoulli — Xử lý wafer không tiếp xúc cho các wafer mỏng và dễ vỡ
Đầu kẹp gốm Bernoulli của St.Cera sử dụng lực nâng khí động học để xử lý các tấm wafer mà không cần tiếp xúc vật lý. Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) hoặc silicon carbide (SiC) có độ tinh khiết cao 99,8%, nó có các vòi phun được gia công chính xác để phun khí nén tạo ra một lớp màng khí mỏng giữa đầu kẹp và tấm wafer. Nguyên tắc không tiếp xúc này loại bỏ sự nhiễm bẩn mặt sau, sứt mẻ cạnh và hư hỏng bề mặt, lý tưởng cho các tấm wafer mỏng (≤100 μm), dễ vỡ hoặc bị cong vênh. Lớp nền gốm cung cấp độ bền uốn cao (361 MPa đối với Al₂O₃; lên đến 550–600 MPa đối với SiC), khối lượng thấp và độ ổn định kích thước tuyệt vời, đảm bảo định vị lặp lại trong các robot chuyển wafer tốc độ cao.
-
Đầu kẹp gốm phủ Teflon – Bề mặt chống dính, lý tưởng cho việc xử lý wafer nhạy cảm.
Đầu kẹp gốm phủ Teflon (PTFE) của St.Cera kết hợp chất nền alumina cường độ cao với lớp phủ PTFE đồng nhất, ma sát thấp (độ dày 15–30 μm). Lớp phủ này cung cấp hệ số ma sát cực thấp (≤0,1), khả năng kháng hóa chất tuyệt vời và đặc tính chống dính, ngăn ngừa sự bám dính của wafer và loại bỏ sự nhiễm bẩn mặt sau. Chất nền gốm bên dưới (99,8% Al₂O₃) có độ bền uốn cao (361–1000 MPa), khả năng chống mài mòn và độ ổn định nhiệt lên đến 260°C (giới hạn lớp phủ). Đầu kẹp này lý tưởng để xử lý các wafer mỏng, dễ vỡ hoặc dính (ví dụ: sau khi phủ chất cản quang hoặc các quy trình hóa học).
