-
Gia công tùy chỉnh mâm cặp wafer gốm Al2O3
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Tấm gốm sứ chuyên dụng cho thiết bị bán dẫn ST.CERA theo yêu cầu.
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Mâm cặp chân không bằng alumina 12 inch dùng cho xử lý wafer 300mm
Mâm cặp hút chân không 12 inch của St.Cera được chế tạo chính xác từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8% để xử lý tấm wafer 300mm. Mâm cặp có bề mặt rãnh mịn (chiều rộng rãnh 0,5–1,0 mm, bước rãnh 2–3 mm) để đảm bảo phân bố chân không đồng đều trên toàn bộ đường kính 300mm. Độ phẳng được duy trì trong phạm vi 5 μm, cho phép cố định wafer không bị cong vênh trong quá trình cắt, mài mặt sau và kiểm tra. Độ bền uốn cao (361 MPa) và độ cứng (16 GPa) của vật liệu đảm bảo độ ổn định kích thước lâu dài ngay cả khi trải qua nhiều chu kỳ hút chân không.
-
Phụ tùng gốm sứ cho thiết bị dò bán dẫn
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Tấm gốm dùng làm giá đỡ thiết bị bán dẫn
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Phụ tùng gốm sứ cho thiết bị bán dẫn
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Vòng đệm gốm alumina độ tinh khiết cao dùng để làm kín buồng nhiệt độ cao.
Vòng đệm gốm của St.Cera được thiết kế như một giải pháp thay thế cho vòng đệm chữ O bằng polymer trong môi trường khắc nghiệt, nơi chất đàn hồi bị phân hủy. Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8%, vòng đệm cứng này được sử dụng trong các ứng dụng làm kín tĩnh — thường được kết hợp với gioăng kim loại mềm hoặc gioăng than chì — để cung cấp khả năng giữ chân không hoặc khí đáng tin cậy ở nhiệt độ lên đến 800°C và trong môi trường plasma hoặc hóa chất khắc nghiệt. Vật liệu này không phát thải khí, có độ bền nén cao (độ bền uốn cơ bản 361 MPa) và trơ về mặt hóa học (chống lại halogen, axit và kiềm ngoại trừ HF). Bề mặt làm kín được mài chính xác (độ phẳng ≤5 μm, độ nhám bề mặt Ra ≤0,2 μm) đảm bảo tiếp xúc kín khí với các bộ phận kim loại hoặc gốm ghép nối.
-
Vòng hội tụ buồng alumina độ tinh khiết cao dành cho hệ thống khắc plasma và CVD
Vòng hội tụ buồng của St.Cera là một thành phần quan trọng trong bộ dụng cụ xử lý được sử dụng trong thiết bị bán dẫn khắc plasma, CVD và PVD. Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8%, vòng này bao quanh mép wafer để giữ plasma và tối ưu hóa sự phân bố góc ion, từ đó cải thiện độ đồng nhất của quá trình khắc trên bề mặt wafer. Vật liệu này có khả năng chống plasma vượt trội, độ bền điện môi cao (15×10⁶ V/m) và độ ổn định nhiệt lên đến 1600°C, đảm bảo độ tin cậy lâu dài trong môi trường plasma khắc nghiệt chứa flo hoặc clo. Đường kính trong/ngoài được mài chính xác và độ phẳng (≤10 μm) cho phép định vị mép wafer chính xác, giảm thiểu các khuyết tật ở mép và sự phát sinh hạt.
-
Vòng gốm alumina độ tinh khiết cao dùng cho buồng xử lý CVD/PVD
Vòng gốm của St.Cera được thiết kế đặc biệt để sử dụng trong buồng xử lý CVD (Phương pháp lắng đọng hơi hóa học) và PVD (Phương pháp lắng đọng hơi vật lý). Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8%, vòng này đóng vai trò là lớp lót buồng, vòng hội tụ hoặc thành phần của bộ dụng cụ xử lý để giữ plasma và bảo vệ thành buồng khỏi bị ăn mòn. Vật liệu này có khả năng chống plasma tuyệt vời, độ bền điện môi cao (15×10⁶ V/m) và độ ổn định nhiệt lên đến 1600°C, đảm bảo tuổi thọ cao trong môi trường plasma chứa flo khắc nghiệt. Dung sai kích thước chính xác (±0,05 mm trên đường kính trong/ngoài) và độ phẳng (≤10 μm) cho phép định vị cạnh wafer nhất quán, cải thiện độ đồng nhất của quá trình lắng đọng và giảm sự hình thành hạt.
-
Mâm cặp chân không bằng gốm xốp dùng để xử lý wafer bị cong vênh.
Mâm cặp gốm xốp của St.Cera được chế tạo từ alumina có độ tinh khiết cao với độ xốp mở đồng đều từ 30–45% và kích thước lỗ xốp từ 10 đến 100 μm. Không giống như các mâm cặp có rãnh thông thường, bề mặt xốp tạo ra chân không phân bố đều khắp mặt sau của wafer, giữ chặt các wafer bị cong vênh, mỏng hoặc bị tách rời mà không bị bong mép hoặc vỡ. Lực hút chân không nhẹ (có thể điều chỉnh bằng bộ hạn chế) cũng ngăn ngừa hiện tượng hằn vết ở mặt sau.
-
Mâm cặp chân không bằng gốm xốp gốc alumina dùng để xử lý các tấm bán dẫn mỏng.
Mâm cặp xốp gốc alumina của St.Cera được chế tạo từ Al₂O₃ có độ tinh khiết cao 99,6% với độ xốp mở được kiểm soát từ 30–45% và kích thước lỗ xốp đồng nhất từ 10 đến 50 μm. Không giống như các mâm cặp có rãnh, bề mặt xốp cung cấp chân không phân bố đều trên toàn bộ mặt sau của wafer, loại bỏ hiện tượng hằn cạnh và cho phép giữ nhẹ nhàng các wafer siêu mỏng (≤100 μm) hoặc bị cong vênh. Vật liệu này có độ bền uốn ≥250 MPa và độ ổn định nhiệt lên đến 400°C trong không khí.
-
Tấm phân phối khí alumina cho đầu phun CVD/PVD
Tấm phân phối khí (đầu phun) của St.Cera được gia công chính xác từ gốm alumina có độ tinh khiết cao 99,8%. Nó có một loạt các lỗ siêu nhỏ (đường kính 0,3–1,5 mm) đảm bảo luồng khí đồng đều trên bề mặt wafer trong các quy trình CVD, PVD hoặc ALD. Độ bền điện môi cao (>15×10⁶ V/m) và khả năng chống plasma của tấm này làm cho nó trở nên thiết yếu cho quá trình lắng đọng màng mỏng bán dẫn.
